有了他这份拓扑物态的产生🗌🚎机制和特性的研究论文，量子计算机的发展应该是可以加快一些脚🐊♵🌮步的。
量子芯片和量子技术的发展，是未来的趋势，也是华国在🏑🙕芯片领域实🜷现弯道🗭超车的捷径。
至于传统的硅基芯片，老实说在这方面已经没有什⛫🝖么机会了。
不仅仅是因为以米国为首的西方国家在硅基芯片上耕耘了几十年的时间，建立起来了一套完善的规则和先进的光刻技术，导致其他国家只能追赶没法超越外；更🛫🟑🜠有硅基芯片差不多已经快走到尽头的原因。
传统的芯片一直以来材料都是以硅材料为主，但是随着芯片工艺的不断提升🗭，硅基芯片正在不断的逐渐逼近🟉它极限。
目前AMSL，台积电等公司已经🁳做到了能生产三纳米，🏑🙕甚至是两纳米的芯片💁🎷🕲了。
但对于硅基芯片来说，再往下，一纳🈭🁢米就是它理论上的极限了。
第一个🗕原🕋🟆因是硅原子的大小只有0.12纳米，按照硅原子的这个大小来推算，一旦芯片工艺达到一纳米，基本上就放不下更多的晶体管了。
所以🚃🐪传统的硅脂芯片🅩基本上已经达到极限了，如果到了1nm之后还强制加入更多的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。
第二原因则是量子隧穿效应，这是限🈭🁢制目前硅基芯片发展的最大因素了。
所谓隧穿效应，简单来说就是微观粒子，比如电子可🖸🗖以直接🕐🈮穿越障🄄🞏碍物的一种现象。
具体到芯片上面，就是当芯片的工艺足够小的时候，原本在电路中🄄🞏正常流动构成电流的电子就不会老老实实按照路线流动，而是会穿过半导体闸门，到处乱串，最终形成漏电等各种问题。
简单的来说，就🕓像是一个人学会了穿墙术，直接从墙这一面穿到了另一面。
事实上，这种现🕓象并不是指硅基芯片达到一纳米的时候才出现的效应。
在之前芯片达到20纳😢🃂🔺米的时候，硅基芯片就曾经出现过🏑🙕这种漏电现象。🂻🔀
只不过后来包括台积电等一些芯片制造厂家通☗过工艺上的改进之后才改善了这种问题。
后面到了7纳米到5纳米之间的时候，这种现象再次出现，而A😷🆂SML则通过发明了EUV光刻机，这大幅提升了光刻能力，才解决了🏄🗟这一问题。
但未来随着芯片工艺越来越小，当传统的硅基芯片达到2纳米的😷🆂时候量子隧穿效应导致的各种问题会🔜🁡逐渐暴露出来。
到了一纳🕋🟆米的迹象，即便一些芯片厂家能够突破这个大关，但整体的芯片性能理📂😂⚎论上来说就不会优良，甚至会不会太稳定，有可能出现各种问题。
或许在这一过程🕓中，科学家🗌🚎会想各种办法来解决这个问题。